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Siehe Technische Spezifikationen

KSD882OS +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 3 A 90MHz 1 W Through Hole TO-126-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSD882OS
Datenblatt:

KSD882OS Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 200mA, 2A
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KSD882OS Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 3 A 90MHz 1 W Through Hole TO-126-3

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	3 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A	Current - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1A, 2V	Power - Max	1 W
Frequency - Transition	90MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	KSD882

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