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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KST5551 +BOM

BJT Bipolar Transistors

Hersteller:

FAIRCHILD
Herstellerteil #:

KST5551
Datenblatt:

KST5551 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

0.6 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

160 V
EDA/CAD Modelle:

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KST5551 Allgemeine Beschreibung

Amplifier Transistor• Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V• Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW

Hauptmerkmale

Frequency Response: 10kHz to 100MHz
Input Power: 20mW
Output Power: 40mW

Anwendung

Sensor technology
Amplification solutions
Lighting automation

Spezifikationen

Source Content uid	KST5551	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	0.6 A	Collector-Emitter Voltage-Max	160 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	30
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.625 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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