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MGF0911A +BOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-21, 2 PIN

Hersteller:

FUJITSU
Herstellerteil #:

MGF0911A
Datenblatt:

MGF0911A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

2
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.75

MGF0911A Allgemeine Beschreibung

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-21, 2 PIN

Hauptmerkmale

Class A operation
High output power
P1dB=41dBm(TYP) @2.3GHz
High power gain
GLP=11dB(TYP) @2.3GHz
High power added efficiency
hadd=40%(TYP) @2.3GHz,P1dB
Hermetically sealed metal-ceramic package with ceramic lid

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	2
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.75	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	10 V
Drain Current-Max (ID)	2.6 A	FET Technology	JUNCTION
Highest Frequency Band	S BAND	JESD-30 Code	R-CDFM-F2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	DEPLETION MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	37.5 W
Power Gain-Min (Gp)	10 dB	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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