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Siehe Technische Spezifikationen

MJ11033 +BOM

These Bipolar Power Darlington Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MJ11033
Datenblatt:

MJ11033 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

120 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJ11033

MJ11033 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Hauptmerkmale

High-Temperature Operation up to +150°C
Low Noise and RFI Emissions Guaranteed
Wide Input Voltage Range -40V to +5V
Soft Start-Up for Reduced Inrush Current
Over-Voltage Protection to Rated Voltage
UL/CUL Recognized and Compliant

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	120 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	120 V
Maximum DC Collector Current	50 A	Pd - Power Dissipation	300 W
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	50 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	400, 1000	Height	8.51 mm
Length	38.86 mm	Product Type	Darlington Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Width	26.67 mm	Unit Weight	0.405651 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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s**n 12.30.2023

Hedy is very helpful , good prices no quality problems so far

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