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Siehe Technische Spezifikationen

MJH11020G +BOM

20 A, 200 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

MJH11020G
Datenblatt:

MJH11020G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

340L-02
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJH11020G

MJH11020G Allgemeine Beschreibung

For engineers and hobbyists seeking a reliable and versatile power transistor, the MJH11020G is a top choice. Its Darlington configuration ensures high current gain and low saturation voltage, making it suitable for a wide range of applications. When used in conjunction with its complementary devices, the MJH11020G opens up new possibilities for innovative circuit designs and advanced electronic projects

Hauptmerkmale

Fast Recovery Time @ 50μs (Typ)
Low Crosstalk and Improved Signal Integrity
High-Power Handling Capability @ 1W (Typ) for Heavy Load Applications

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	340L-02
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

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