Bezahlverfahren
MJ11016G +BOM
30 A, 120 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
TO-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
MJ11016G
-
Datenblatt:
-
Case Outline:
1-07
-
MSL Temp (°C):
0
-
Container Type:
FTRAY
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 5767 Stck
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MJ11016G Allgemeine Beschreibung
The MJ11016G is a NPN Darlington Bipolar Power Transistor that has been engineered to meet the requirements of output devices in complementary general purpose amplifier applications. Along with its complementary counterparts, the MJ11015 (PNP), MJ11012, and MJ11016 (NPN), this transistor is designed to provide superior performance and reliability in a variety of amplifier applications
Hauptmerkmale
- High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ IC - 20 Adc
- Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor
- Junction Temperature to +200°C
Spezifikationen
Status | Active | Case Outline | 1-07 |
MSL Temp (°C) | 0 | Container Type | FTRAY |
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MJ11016G Datenblatt PDF
MJ11016G PDF Vorschau
In Stock: 5.767
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
From the multimeter does not ring and does not glow, i will check from 3 v-will write off