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Siehe Technische Spezifikationen

MJF6388G +BOM

10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

MJF6388G
Datenblatt:

MJF6388G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

221D-03
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJF6388G

MJF6388G Allgemeine Beschreibung

The MJF6388G Bipolar Power Transistor offers exceptional performance and versatility for a wide range of applications, including amplifier and switching tasks. Its innovative design ensures that the mounting surface is electrically isolated from the heatsink or chassis, enhancing safety and efficiency in electronic projects. Whether used in commercial or industrial settings, this transistor delivers consistent results and reliable operation, making it a top choice for engineers and hobbyists alike

Hauptmerkmale

Bipolar Junction Transistor Architecture
High-Gain Amplification Stage
Reduced Power Consumption

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	221D-03
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

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