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Siehe Technische Spezifikationen

MT3S111P(TE12L,F) +BOM

RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

MT3S111P(TE12L,F)
Datenblatt:

MT3S111P(TE12L,F) Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

6V
Frequency - Transition:

8GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

1.25dB @ 1GHz
EDA/CAD Modelle:

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MT3S111P(TE12L,F) Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	6V
Frequency - Transition	8GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
Gain	10.5dB	Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	MT3S111	feature-packaging	Tape and Reel
feature-pin-count	4	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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