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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MTM15N50 +BOM

Compact power transistor for high-voltage applications

Hersteller:

Semiconductor Technology Inc
Herstellerteil #:

MTM15N50
Datenblatt:

MTM15N50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MTM15N50

MTM15N50 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Drain Current-Max (ID)	15 A	Drain-source On Resistance-Max	0.4 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	200 pF
JEDEC-95 Code	TO-204AE	JESD-30 Code	O-MBFM-P2
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	250 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	65 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	630 ns
Turn-on Time-Max (ton)	240 ns

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