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Siehe Technische Spezifikationen

MTP40N06M +BOM

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Hersteller:

MOTOROLA
Herstellerteil #:

MTP40N06M
Datenblatt:

MTP40N06M Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
Additional Feature:

CURRENT SENSING
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MTP40N06M

MTP40N06M Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Additional Feature	CURRENT SENSING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	40 A
Drain-source On Resistance-Max	0.04 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	400 pF	JESD-30 Code	R-PSFM-T5
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	125 W	Power Dissipation-Max (Abs)	125 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	120 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Max (toff)	160 ns	Turn-on Time-Max (ton)	80 ns

Servicerichtlinien und andere

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