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MTM55N10 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

Hersteller:

MOTOROLA
Herstellerteil #:

MTM55N10
Datenblatt:

MTM55N10 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
Case Connection:

DRAIN

MTM55N10 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	55 A
Drain-source On Resistance-Max	0.04 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	1000 pF	JEDEC-95 Code	TO-204AE
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	250 W
Power Dissipation-Max (Abs)	250 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	275 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	750 ns
Turn-on Time-Max (ton)	420 ns

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