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Siehe Technische Spezifikationen

MTP50P03HDLG +BOM

Technical Details: MTP50P03HDLG is a precision-engineered Power MOSFET renowned for its exceptional performance characteristics

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MTP50P03HDLG
Datenblatt:

MTP50P03HDLG Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

221A
MSL Type:

NA
MSL Temp (°C):

0
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MTP50P03HDLG

MTP50P03HDLG Allgemeine Beschreibung

The Onsemi MTP50P03HDLG is a powerful P Channel Mosfet that can handle a Drain Source Voltage (Vds) of up to 30V and a Continuous Drain Current (Id) of 50A. With a Rds(On) Test Voltage of 5V, this transistor is designed to deliver optimal performance in a variety of applications. The Gate Source Threshold Voltage Max of 1.5V ensures reliable switching capabilities, while the Through Hole mounting style makes it easy to install. Additionally, the MTP50P03HDLG is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in various electronic devices

Hauptmerkmale

Low Reverse Recovery Time for Improved System Reliability
Pulse Width Modulation Capability for High Efficiency
I_DSS and V_DS(on) Specified at Elevated Temperature
Source-to-Drain Diode Forward Voltage Drop is Low

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Status	Obsolete	Compliance	PbAHP
Case Outline	221A	MSL Type	NA
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Container Qty.	50	ON Target	N
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	30	VGS Max (V)	15
VGS(th) Max (V)	2	ID Max (A)	50
PD Max (W)	125	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	74	Ciss Typ (pF)	3500
Pricing ($/Unit)	Price N/A

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