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Siehe Technische Spezifikationen

NE325S01 +BOM

RF Small Signal Field-Effect Transistor

Hersteller:

nec
Herstellerteil #:

NE325S01
Datenblatt:

NE325S01 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

HFET
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

12 GHz
Gain:

12.5 dB

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
Gate Width : Wg = 200 µm

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HFET
Technology	GaAs	Operating Frequency	12 GHz
Gain	12.5 dB	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	4 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 3 V
Id - Continuous Drain Current	90 mA	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Pd - Power Dissipation	165 mW	Mounting Style	SMD/SMT
Forward Transconductance - Min	60 mS	NF - Noise Figure	0.45 dB
Product	RF JFET	Product Type	RF JFET Transistors
Subcategory	Transistors	Type	GaAs HFET

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