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NE960R275 +BOM

RF JFET Transistors designed for Ku Band MESFET

  • Hersteller:

    CEL

  • Herstellerteil #:

    NE960R275

  • Datenblatt:

    NE960R275 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Transistor Type:

    MESFET

  • Technology:

    GaAs

  • Operating Frequency:

    14.5 GHz

  • Gain:

    10 dB

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen NE960R275-Treiber von CEL an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung  NE960R275.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category RF JFET Transistors Transistor Type MESFET
Technology GaAs Operating Frequency 14.5 GHz
Gain 10 dB Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 7 V Id - Continuous Drain Current 350 mA
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Mounting Style Screw Mount P1dB - Compression Point 25 dBm
Product RF JFET Product Type RF JFET Transistors
Subcategory Transistors Type GaAs MESFET

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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Versand Versand & Verpackung

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Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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