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NE85619-T1-A +BOM

Perfect for small-signal switching and amplifying signal

NE85619-T1-A Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 125mW Surface Mount SOT-523

Hauptmerkmale

  • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
  • fT= 7 GHz
  • LOW NOISE FIGURE:
  • 1.1 dB at 1 GHz
  • HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
  • HIGH RELIABILITY METALLIZATION
  • LOW COST

Spezifikationen

Product Category RF Bipolar Transistors Transistor Type Bipolar
Technology Si Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V Emitter- Base Voltage VEBO 3 V
Continuous Collector Current 100 mA Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Configuration Single
Mounting Style SMD/SMT DC Current Gain hFE Max 160
Gain Bandwidth Product fT 4.5 GHz Height 0.75 mm
Length 1.6 mm Pd - Power Dissipation 100 mW
Product Type RF Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Type RF Bipolar Small Signal
Width 0.8 mm Part # Aliases 2SC5006-T1-A

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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