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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NE662M04 +BOM

Versatile pin SOT-package solution for RF and microwave systems development

Hersteller:

NEC
Herstellerteil #:

NE662M04
Datenblatt:

NE662M04 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

25000 MHz (Typ)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NE662M04

Hauptmerkmale

HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz
LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz
HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz
NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE:
SOT-343 footprint, with a height of just 0.59 mm
Flat Lead Style for better RF performance

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	25000 MHz (Typ)	Emitter- Base Voltage VEBO	1.5 V
Continuous Collector Current	35 mA	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Single
Collector- Base Voltage VCBO	15 V	DC Current Gain hFE Max	50 at 5 mA at 2 V
Pd - Power Dissipation	115 mW	Product Type	RF Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Type	RF Bipolar Small Signal

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