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Siehe Technische Spezifikationen

NESG2021M16-T3-A +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

NESG2021M16-T3-A
Datenblatt:

NESG2021M16-T3-A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

SiGe
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

25 GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NESG2021M16-T3-A

NESG2021M16-T3-A Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 5V 35mA 25GHz 175mW Surface Mount M16, 1208

Spezifikationen

Product Category:	RF Bipolar Transistors	Transistor Type:	Bipolar
Technology:	SiGe	Transistor Polarity:	NPN
Operating Frequency:	25 GHz	Emitter- Base Voltage VEBO:	1.5 V
Continuous Collector Current:	35 mA	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	MouseReel
Collector- Base Voltage VCBO:	13 V	DC Current Gain hFE Max:	130 at 5 mA at 2 V
Pd - Power Dissipation:	175 mW	Product Type:	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity:	10000	Subcategory:	Transistors
Type:	RF Silicon Germanium

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