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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NE72218 +BOM

RF Bipolar Transistors

Hersteller:

CEL
Herstellerteil #:

NE72218
Datenblatt:

NE72218 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

MESFET
Technology:

GaAs
Transistor Polarity:

N-Channel
Operating Frequency:

12 GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NE72218

Hauptmerkmale

High power gain in C to X band: GS = 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz
Gate length : Lg = 0.8 µm
Gate width : Wg = 400 µm
4-pin super minimold package
Tape & reel packaging only available

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	MESFET
Technology	GaAs	Transistor Polarity	N-Channel
Operating Frequency	12 GHz	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Mounting Style	SMD/SMT	Pd - Power Dissipation	250 mW
Product	RF JFET	Product Type	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Type	GaAs MESFET

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