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N-Channel Gallium Arsenide Hetero-junction FET
SO-1Hersteller:
nec
Herstellerteil #:
NE334S01
Datenblatt:
Transistor Type:
HFET
Technology:
GaAs
Operating Frequency:
4 GHz
Gain:
16 dB
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Product Category | RF JFET Transistors | Transistor Type | HFET |
Technology | GaAs | Operating Frequency | 4 GHz |
Gain | 16 dB | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 4 V | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 3 V |
Id - Continuous Drain Current | 150 mA | Maximum Operating Temperature | + 125 C |
Pd - Power Dissipation | 300 mW | Mounting Style | SMD/SMT |
Forward Transconductance - Min | 85 mS | NF - Noise Figure | 0.25 dB |
Product | RF JFET | Product Type | RF JFET Transistors |
Subcategory | Transistors | Type | GaAs HFET |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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