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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NJVMJD32CT4G +BOM

PNP Bipolar Junction Transistor 100V 3A DPAK Packaging

Hersteller:

ON
Herstellerteil #:

NJVMJD32CT4G
Datenblatt:

NJVMJD32CT4G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

369C
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

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NJVMJD32CT4G Allgemeine Beschreibung

The NJVMJD32CT4G Bipolar Power Transistor is an essential component for various electronic applications. With its specific design for general purpose amplifier and low-speed switching tasks, this transistor offers reliable performance and functionality

Hauptmerkmale

The NJVMJD32CT4G is energy-efficient and eco-friendly
Its design minimizes power consumption and heat generation
It is RoHS compliant and meets EU standards for environmental sustainability

Anwendung

High-voltage MOSFET for LED lighting
Fast switching capabilities
Low on-resistance for high efficiency

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	369C	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	N
Polarity	PNP	Type	General Purpose
VCE(sat) Max (V)	1.2	IC Cont. (A)	3
VCEO Min (V)	100	VCBO (V)	100
VEBO (V)	5	VBE(on) (V)	1.8
hFE Min	10	hFE Max	50
fT Min (MHz)	3	PTM Max (W)	15
Pricing ($/Unit)	$0.2047

Servicerichtlinien und andere

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