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Siehe Technische Spezifikationen

NJVNJD35N04T4G +BOM

4.0 A, 350 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NJVNJD35N04T4G
Datenblatt:

NJVNJD35N04T4G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NJVNJD35N04T4G

NJVNJD35N04T4G Allgemeine Beschreibung

The NJVNJD35N04T4G stands out as a top-of-the-line Darlington transistor, specially designed for inductive applications like Electronic Ignition, Switching Regulators, and Motor Control. Whether you need to drive ignition systems or regulate switching operations, this transistor is engineered for superior performance and seamless functionality in diverse industrial settings

Hauptmerkmale

Advanced Driver Assistance
Silicon Carbide Devices
Data Transfer Acceleration
High-Speed Processing Unit
Multi-Gigahertz Frequency
High-Efficiency Power Management

Anwendung

Power Inverters
EMI Filters
Thermal Management

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	TUBE

Servicerichtlinien und andere

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