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Siehe Technische Spezifikationen

NJVMJD44H11T4G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NJVMJD44H11T4G
Datenblatt:

NJVMJD44H11T4G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NJVMJD44H11T4G

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NJVMJD44H11T4G Allgemeine Beschreibung

When it comes to power and switching output or driver stages, the NJVMJD44H11T4G Bipolar Power Transistor stands out as a dependable choice. Whether you're working on switching regulators, converters, or power amplifiers, this transistor offers the performance and reliability needed to ensure optimal functionality. Its general purpose design makes it a versatile option for a variety of applications, making it a go-to component for electronic projects

Hauptmerkmale

High Efficiency Conversion
Low Current Consumption
Compact Design Flexibility
Simple Circuit Configuration

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

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