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Siehe Technische Spezifikationen

NPTB00004A +BOM

GaN HEMT RF JFET Transistors with 5W Output Power and 16dB Gain at DC-6.0GHz

Hersteller:

MACOM Technology Solutions
Herstellerteil #:

NPTB00004A
Datenblatt:

NPTB00004A Datenblatt (PDF)
Technology:

HEMT
Frequency:

0Hz ~ 6GHz
Gain:

14.8dB
Voltage - Test:

28 V
EDA/CAD Modelle:

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NPTB00004A Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 50 mA 0Hz ~ 6GHz 14.8dB 4W 8-SOIC

Hauptmerkmale

Broadband Operation from DC-6 GHz
Drop in Replacement for NPTB00004
High Drain Efficiency (>55%)
Industry Standard Plastic Package
28V Operation
Aerospace and Defense
Broadband General Purpose
Defense Communications
ISM
VHF/UHF/L-Band Radar
Wireless Infrastructure

MACOM Technology Solutions Originalbestand

Anwendung

Supply Voltage: 28 V
PSAT: 5 W
Gain: 17 dB
Test Freq: 2.5 GHz
Min Frequency: 0 MHz
Max Frequency: 6,000 MHz
Theta J-C: 15 C/W

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	HEMT	Frequency	0Hz ~ 6GHz
Gain	14.8dB	Voltage - Test	28 V
Current Rating (Amps)	1.4A	Noise Figure	-
Current - Test	50 mA	Power - Output	4W
Voltage - Rated	100 V	Base Product Number	NPTB00004

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