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Siehe Technische Spezifikationen

NSS40302PDR2G +BOM

Low VCE(sat) Transistor, Complementary, 40 V, 3.0 A

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSS40302PDR2G
Datenblatt:

NSS40302PDR2G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

751-07
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSS40302PDR2G

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NSS40302PDR2G Allgemeine Beschreibung

The NSS40302PDR2G from ON Semiconductors is a top-of-the-line product in the e2PowerEdge family, offering exceptional performance in low VCE(sat) transistors. With its ultra-low saturation voltage and high current gain capability, this surface mount device is perfect for use in low voltage high-speed switching applications where efficient energy control is crucial. Whether it's for low voltage motor controls in mass storage products or for air bag deployment in the automotive industry, the NSS40302PDR2G delivers reliable and consistent results. Its ability to be directly driven from PMUs control outputs, thanks to its high current gain, makes it a versatile component for a variety of applications, including analog amplifiers

Hauptmerkmale

High Power, Low RDSon, Fast Switching Speed
Low Saturation Voltage, High Efficiency, Overcurrent Protection
High Current Density, Low ESR, Small Form Factor
Low Noise, High Isolation, High Common Mode Rejection Ratio
High Power Handling, Low Temperature Coefficient, High Stability
Low Crosstalk, High Bandwidth, High Sensitivity, Wide Dynamic Range

Anwendung

Unique Features for Versatile Applications
Efficient Power Management Solutions
Robust Drivers for Various Loads

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	751-07
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

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