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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NSVF4017SG4T1G +BOM

RF Transistor for Low Noise Amplifier

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSVF4017SG4T1G
Datenblatt:

NSVF4017SG4T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419AR
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G Allgemeine Beschreibung

Tailored for low noise amplifier applications, the NSVF4017SG4T1G RF transistor is a top-of-the-line component with a MCPH package that facilitates superior heat radiation. Its AEC-Q101 qualification and PPAP capability make it the perfect fit for automotive applications. Whether used in electronic or automotive settings, this RF transistor delivers consistent and high-quality performance

Hauptmerkmale

Simplified PCB design requirements
High-speed data transfer supported
Reliable electromagnetic interference
Epoxy-free and halogen-free construction
Achieving high-reliability performance
Compact size with reduced footprint

Anwendung

Wireless Signal Boost
Noise Reduction
High-Frequency Amplifier

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	419AR
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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