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Siehe Technische Spezifikationen

NSV1C201MZ4T1G +BOM

2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSV1C201MZ4T1G
Datenblatt:

NSV1C201MZ4T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

0.0318
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSV1C201MZ4T1G

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NSV1C201MZ4T1G Allgemeine Beschreibung

As technology continues to evolve, the demand for efficient energy control solutions remains a top priority for manufacturers across industries. With its high current gain capability and low saturation voltage VCE(sat), the NSV1C201MZ4T1G transistor from ON Semiconductor offers a reliable and cost-effective option for achieving optimal performance in low voltage, high speed switching applications. Whether you're designing cutting-edge consumer electronics or advanced automotive systems, the NSV1C201MZ4T1G provides the precision and efficiency needed to stay ahead of the curve in today's competitive marketplace

Hauptmerkmale

Environmental Stewardship through Responsible Manufacturing Practices
PbFree and Halogen-Free Design for Increased Safety and Reliability
Proactive Approach to Quality Control and Continuous Improvement

Anwendung

Efficient power usage
Energy-saving capabilities
Optimized power consumption

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	0.0318
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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