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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NSVBC114YDXV6T1G +BOM

Pre-biased SS RSTR XSTR TR bipolar transistors for efficient circuitry

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NSVBC114YDXV6T1G
Datenblatt:

NSVBC114YDXV6T1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

463A-01
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSVBC114YDXV6T1G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NSVBC114YDXV6T1G Allgemeine Beschreibung

Say goodbye to complex external resistor bias networks and welcome the future of digital transistors with the NSVBC114YDXV6T1G. With its cutting-edge design and innovative features, this series is set to revolutionize the way we approach system integration. By leveraging the power of a monolithic bias network, this product offers a cost-effective and space-saving solution for a wide range of applications. Upgrade your designs today with the efficiency and convenience of the NSVBC114YDXV6T1G

Hauptmerkmale

Increases Storage Capacity
Faster Data Transfer Rates
Eases Installation Process
Reduces Heat Generation

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	463A-01	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	4000	ON Target	N
Polarity	Dual NPN	IC Continuous (A)	0.1
V(BR)CEO Min (V)	50	hFE Min	80
R1 (kΩ)	10	R2 (kΩ)	47
R1/R2 Typ	0.21	Vi(off) Max (V)	0.5
Vi(on) Min (V)	1.4	Pricing ($/Unit)	$0.088

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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