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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NZT44H8 +BOM

NPN Bipolar Transistor

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NZT44H8
Datenblatt:

NZT44H8 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NZT44H8

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Enhances focus and concentration
Simplifies information processing
Boosts comprehension skills

Anwendung

Brain Power Improvement

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	1.5 W
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	NZT44H8
Continuous Collector Current	8 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	60
Height	1.6 mm	Length	6.5 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.56 mm	Part # Aliases	NZT44H8_NL
Unit Weight	0.003951 oz

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