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Siehe Technische Spezifikationen

NZT605 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 110 V 1.5 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-223-4

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NZT605
Datenblatt:

NZT605 Datenblatt (PDF)
Case Outline:

318H-01
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NZT605

NZT605 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 110 V 1.5 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-223-4

Hauptmerkmale

This device designed for applications requiring extremely high gain atcollector currents to 1.0A and high breakdown voltage.
Sourced from process 06.

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	318H-01
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

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