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100A, 40V, 0.0021ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4
SOT-669-5Hersteller:
Herstellerteil #:
PSMN1R8-40YLC
Datenblatt:
Part Life Cycle Code:
Transferred
ECCN Code:
EAR99
Additional Feature:
HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas):
248 mJ
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Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.
Source Content uid | PSMN1R8-40YLC | Part Life Cycle Code | Transferred |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 248 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 40 V | Drain Current-Max (ID) | 100 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0021 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | MO-235 | JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 1128 A |
Reference Standard | IEC-60134 | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | PURE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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