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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PSMN2R4-30YLD +BOM

TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PSMN2R4-30YLD
Datenblatt:

PSMN2R4-30YLD Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99

PSMN2R4-30YLD Allgemeine Beschreibung

Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Hauptmerkmale

Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
Superfast switching with soft-recovery; s-factor> 1
Low spiking and ringing for low EMI designs
Unique “SchottkyPlus” technology; Schottky-like performance with <1µA leakage at 25 °C
Optimised for 4.5 V gate drive
Low parasitic inductance and resistance
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package; no glue, no wire bonds, qualified to 175 °C
Wave solderable; exposed leads for optimal visual solder inspection

Anwendung

On-board DC-to-DC solutions for server and telecommunications
Secondary-side synchronous rectification in telecommunication applications
Voltage regulator modules (VRM)
Point-of-Load (POL) modules
Power delivery for V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA and system components
Brushed and brushless motor control

Spezifikationen

Source Content uid	PSMN2R4-30YLD	Part Life Cycle Code	Transferred
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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