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Siehe Technische Spezifikationen

QM50HA-H +BOM

Take your device to the next level with this powerful and efficient processor solution

Hersteller:

Mitsubishi Electric
Herstellerteil #:

QM50HA-H
Datenblatt:

QM50HA-H Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

50 A
Configuration:

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

QM50HA-H Allgemeine Beschreibung

The QM50HA-H transistor is a powerhouse in the world of high-power switching NPN bipolar transistors. With its impressive collector-emitter voltage of 1000V and a collector current of 50A, this transistor is ready to tackle even the most demanding industrial applications. Whether it's motor control, power supplies, or inverters, the QM50HA-H has the muscle to get the job done

Hauptmerkmale

Fast response time for dynamic control
Robust electrical insulation protection
Durable construction for harsh environments

Precise motor speed control capabilities
High-speed communication interfaces available
Wide operating temperature range

Anwendung

Robotic arm control
LED lighting systems
UPS backup power

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	50 A	Configuration	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	75	Fall Time-Max (tf)	3000 ns
JESD-30 Code	R-PUFM-X3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	310 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Transistor Element Material	SILICON	VCEsat-Max	2 V

Servicerichtlinien und andere

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