Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RCJ120N20TL +BOM

MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RCJ120N20TL
Datenblatt:

RCJ120N20TL Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel

RCJ120N20TL Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 12A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Id - Continuous Drain Current	12 A
Rds On - Drain-Source Resistance	250 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.25 V	Qg - Gate Charge	15 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	52 W	Channel Mode	Enhancement
Series	RCJ120N20	Configuration	Single
Fall Time	11 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	33 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	27 ns	Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Part # Aliases	RCJ120N20	Unit Weight	0.139332 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..