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Siehe Technische Spezifikationen

RCJ700N20TL +BOM

MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RCJ700N20TL
Datenblatt:

RCJ700N20TL Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel

RCJ700N20TL Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 70A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Id - Continuous Drain Current	70 A
Rds On - Drain-Source Resistance	30.5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	125 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.56 W	Channel Mode	Enhancement
Series	RCJ700N20	Configuration	Single
Fall Time	160 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	340 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	160 ns	Typical Turn-On Delay Time	70 ns
Part # Aliases	RCJ700N20	Unit Weight	0.139332 oz

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