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Siehe Technische Spezifikationen

RCJ331N25TL +BOM

MOSFET RCJ331N25 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RCJ331N25TL
Datenblatt:

RCJ331N25TL Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RCJ331N25TL

RCJ331N25TL Allgemeine Beschreibung

N-Channel 250 V 33A (Tc) 1.56W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263S

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Id - Continuous Drain Current	33 A	Rds On - Drain-Source Resistance	105 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V
Qg - Gate Charge	80 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	211 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	140 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	200 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	50 ns	Part # Aliases	RCJ331N25

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