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RCJ220N25TL +BOM

MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET

RCJ220N25TL Allgemeine Beschreibung

N-Channel 250 V 22A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

ROHM Semiconductor Inventar

Spezifikationen

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V Id - Continuous Drain Current 22 A
Rds On - Drain-Source Resistance 105 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 60 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 166 W Channel Mode Enhancement
Series RCJ220N25 Configuration Single
Fall Time 40 ns Product Type MOSFET
Rise Time 100 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 75 ns Typical Turn-On Delay Time 45 ns
Part # Aliases RCJ220N25 Unit Weight 0.139332 oz

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