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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RJF0605JPD-00#J3 +BOM

Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching Device

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

RJF0605JPD-00#J3
Datenblatt:

RJF0605JPD-00#J3 Datenblatt (PDF)
Pkg. Name:

PRSS0004ZD-C
Pkg. Previous Code:

DPAK(S)
JEITA Standard:

SC-63
Pkg. Code:

pkg_6744
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RJF0605JPD-00#J3

RJF0605JPD-00#J3 Allgemeine Beschreibung

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

Hauptmerkmale

Surge resistant and high reliability design.
Latch type shutdown operation available.
12V and 24V power supply compatible.

Spezifikationen

Pkg. Name:	PRSS0004ZD-C	Pkg. Previous Code:	DPAK(S)
JEITA Standard:	SC-63	Pkg. Code:	pkg_6744
Lead Count:	4	Pb (Lead) Free:	Yes
Carrier Type:	Embossed Tape	Pkg. Type:	DPAK(S)
Pkg. Class:	Dic

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