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Siehe Technische Spezifikationen

RJK03M3DPA-00#J5A +BOM

N-Channel 30 V 40A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-WPAK

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

RJK03M3DPA-00#J5A
Datenblatt:

RJK03M3DPA-00#J5A Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

40A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RJK03M3DPA-00#J5A

RJK03M3DPA-00#J5A Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 40A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-WPAK

Hauptmerkmale

High voltage rating
Silicon-based insulation
UL recognized

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3010 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RJK03M3

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