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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RJK0355DSP-01#J0 +BOM

Robust and reliable for demanding circuits.

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

RJK0355DSP-01#J0
Datenblatt:

RJK0355DSP-01#J0 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

12A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RJK0355DSP-01#J0

RJK0355DSP-01#J0 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Hauptmerkmale

Precise voltage control
High-temperature reliability
Low-profile packaging
Reduced electromagnetic interference

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RJK0355

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