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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2337DS-T1-GE3 +BOM

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI2337DS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2337DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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SI2337DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Low power consumption
Small form factor
Economical pricing

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 1.2A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 40 V	Power Dissipation (Max)	760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature	-50°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI2337

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