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SI4134DY-T1-GE3 8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI4134DY-T1-GE3 +BOM

Si4134DY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI4134DY-T1-GE3
Datenblatt:

SI4134DY-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SI4134DY-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Hauptmerkmale

TrenchFET® power MOSFET
100 % Rg and UIS tested
Material categorization:
for definitions of compliance please see

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	846 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI4134

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