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Siehe Technische Spezifikationen

SI7905DN-T1-GE3 +BOM

Recommended alternative for MOSFET SI7905DN-T1-GE3: SI7923DN-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI7905DN-T1-GE3
Datenblatt:

SI7905DN-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI7905DN-T1-GE3

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SI7905DN-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Hauptmerkmale

High Efficiency
Small Size: 5 mm x 5 mm LFCSP
Low Noise: <0.5% TEC Current Ripple
Long-Term Temperature Stability: 0.01°C
Temperature Lock Indication
Temperature Monitoring Output
Oscillator Synchronization with an External Signal
Clock Phase Adjustment for Multiple Controllers
Programmable Switching Frequency up to 1 MHz
Thermistor Failure Alarm
Maximum TEC Voltage Programmability

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 P-Channel (Dual)	Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 20V	Power - Max	20.8W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI7905

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