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SLA6024 +BOM

Power Bipolar Transistor with 8A I(C) and 60V V(BR)CEO

SLA6024 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 8A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP

Hauptmerkmale

  • Dual output with isolated and regulated outputs
  • Fully protected against overcurrent, overheating
  • High reliability and durability ensured

Anwendung

  • Instrumentation systems
  • Industrial control
  • Process automation

Spezifikationen

Transistor Type 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 10mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 5A, 4V
Power - Max 5W Frequency - Transition 50MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Base Product Number SLA60

Servicerichtlinien und andere

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