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NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
SOT-323Hersteller:
Herstellerteil #:
SMUN5213T1G
Datenblatt:
Series:
Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
50 V
EDA/CAD Modelle:
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Seamlessly integrate the SMUN5213T1G into your electronic applications and experience a level of convenience like never before. This digital transistor is more than just a replacement for traditional devices, it's a game-changer. By combining a transistor with a monolithic bias network, this BRT eliminates the need for external resistors, streamlining your circuit design and reducing overall system costs. With the SMUN5213T1G, efficiency is no longer a luxury but a standard. Embrace the future of technology with this advanced device that promises to deliver superior performance and unparalleled convenience
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | Series | Automotive, AEC-Q101 |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V | Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Power - Max | 202 mW | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SMUN5213 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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Excellent quality! I recommend!