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Siehe Technische Spezifikationen

SMUN5312DW1T1G +BOM

Bipolar Digital Transistor (BRT) for Complementary Applications

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SMUN5312DW1T1G
Datenblatt:

SMUN5312DW1T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419B-02
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Series:

MUN5312DW1
EDA/CAD Modelle:

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SMUN5312DW1T1G Allgemeine Beschreibung

Featuring a high level of integration, the SMUN5312DW1T1G BRT is engineered to streamline the design process by eliminating the need for multiple discrete components. This not only simplifies the assembly process but also enhances the reliability of the circuit by reducing the number of potential failure points. Additionally, the compact form factor of the BRT allows for greater flexibility in board layout, enabling designers to optimize space utilization in their applications. With its cost-effective solution and space-saving design, the SMUN5312DW1T1G offers a practical and efficient solution for various electronic systems

Hauptmerkmale

Model: SMUN53
Part Status: Active
Package/Case: 12-SMD Module

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419B-02
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Series	MUN5312DW1
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Qualification	AEC-Q101
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.000219 oz

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