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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

STD3PK50Z +BOM

High-Voltage Power MOSFET with P-Channel Configuration

Hersteller:

ST
Herstellerteil #:

STD3PK50Z
Datenblatt:

STD3PK50Z Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD3PK50Z

STD3PK50Z Allgemeine Beschreibung

P-Channel 500 V 2.8A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK

Hauptmerkmale

International standard package
Direct copper bonded Al2O3-ceramic base plate
Planar passivated chips
Isolation voltage 3600 V~

Spezifikationen

Source Content uid	STD3PK50Z	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	2.8 A
Drain-source On Resistance-Max	4 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	70 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	11.2 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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