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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

STD6N95K5 +BOM

Silicon N-channel MOSFET

Hersteller:

ST
Herstellerteil #:

STD6N95K5
Datenblatt:

STD6N95K5 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD6N95K5

STD6N95K5 Allgemeine Beschreibung

With the STD6N95K5, customers can expect top-notch performance in power delivery and energy efficiency. The MOSFETs are designed to maximize power density while minimizing energy loss, making them an excellent choice for various applications. Thanks to the MDmesh™ K5 technology, these MOSFETs offer unparalleled performance and reliability

Hauptmerkmale

Ultra low leakage current
Low noise operation guaranteed
DPAK 650V high voltage rating

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid	STD6N95K5	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	90 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	950 V	Drain Current-Max (ID)	9 A
Drain-source On Resistance-Max	1.25 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	90 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	36 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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