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Siehe Technische Spezifikationen

STD86N3LH5 +BOM

Automotive-grade N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET H5 Power MOSFET in a DPAK package

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STD86N3LH5
Datenblatt:

STD86N3LH5 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tape and Reel
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD86N3LH5

STD86N3LH5 Allgemeine Beschreibung

The STD86N3LH5 is a high-quality N-channel MOSFET designed by Stmicroelectronics for automotive applications. It features a drain-source voltage (Vds) of 30V and a continuous drain current (Id) of 80A, making it suitable for high-power automotive systems. Its surface mount configuration allows for convenient installation on circuit boards, while its low on-resistance (Rds(On)) at a test voltage of 10V ensures efficient power management in automotive electronics. With a maximum gate-source threshold voltage of 1.8V, the STD86N3LH5 provides reliable and consistent performance in automotive environments. Additionally, it is Rohs compliant, meeting the stringent environmental standards for automotive components

Hauptmerkmale

Ruggedized for harsh environments
Durable construction
Compact design options
Wide operating temperature

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tape and Reel
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	80 A	Rds On - Drain-Source Resistance	5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 22 V, + 22 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	14 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	70 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Series	STD86N3LH5	Configuration	Single
Fall Time	10.8 ns	Height	2.4 mm
Length	6.6 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	14 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	23.6 ns	Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Width	6.2 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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