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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SUM90P10-19L-E3 +BOM

P-Channel 100-V MOSFET

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SUM90P10-19L-E3
Datenblatt:

SUM90P10-19L-E3 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 100 V 90A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Hauptmerkmale

PIV to 9,000 Volts
Hermetically Sealed Axial and Square Tab Surface Mount Package
Fast Recovery 180 nsec Maximum 4/
Void Free Construction
Metallurgically Bonded
175°C Maximum Operating Temperature
TX, TXV, and S-Level Screening Available 2/
Also Available in Ultra Fast Versions, Consult Factory

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	90 A
Rds On - Drain-Source Resistance	19 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	217 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	375 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SUM
Configuration	Single	Fall Time	870 ns
Forward Transconductance - Min	80 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	510 ns	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	145 ns	Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Unit Weight	0.139332 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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