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Siehe Technische Spezifikationen

SUP90P06-09L-E3 +BOM

MOSFET with 60V voltage rating, 90A current capacity, 250W power dissipation, and 9.3mΩ resistance at 10V

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SUP90P06-09L-E3
Datenblatt:

SUP90P06-09L-E3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SUP90P06-09L-E3

SUP90P06-09L-E3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 60 V 90A (Tc) 2.4W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

±20V Gate-source voltage
62°C/W Junction-to-ambient free air thermal resistance
0.6°C/W Junction-to-case thermal resistance

Anwendung

Industrial

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	TrenchFET®
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9200 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	2.4W (Ta), 250W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	SUP90

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